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产品属性
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参数名称
参数值
是否Rohsren证
符合
生命周期
Active
Objectid
8365134427
包装说明
,
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
风险等级
7.75
YTEOL
5.97
雪崩能效等级(Eas)
250 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压
100 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)
202 A
zui大漏极电流 (ID)
202 A
zui大漏源导通电阻
0.0026 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
zui大反馈电容 (Crss)
80 pF
JESD-30 代码
R-PSSO-F2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度
175 ?C
zui低工作温度
-55 ?C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs)
214 W
zui大脉冲漏极电流 (IDM)
808 A
表面贴装
YES
端子面层
TIN
端子形式
FLAT
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
公司还提供以下
封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)品牌:村田 三星 国巨 风华 华新
温馨启示:电子元件是特殊产品,技术含量较高,由于本身可能存在着多种品牌,后辍与封装,所以可能导致参数与性能的差异,如有不慎,很有可能导致元件购买错误(此种失误,非质量问题一律不退换!),为了的解决您的问题,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们!拍下物品前请与我沟通产品价格,因格不稳定,实时单价请在线咨询,以便我们能准确的发货
全系列电容均有现货,如有查不到请联系客服,竭诚为您服务。
IPT026N10N5
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