K6X1008C2D-PF70 静态随机存取存储器

参数名称	参数值
是否Rohsren证	符合
生命周期	Obsolete
Objectid	8154149173
包装说明	8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8542.32.00.41
风险等级	9.6
zui长访问时间	70 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
长度	18.4 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
zui高工作温度	85 ?C
zui低工作温度	-40 ?C
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSSOP32,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
ren证状态	Not Qualified
座面zui大高度	1.2 mm
zui大待机电流	0.00001 A
zui小待机电流	2 V
子类别	SRAMs
zui大压摆率	0.025 mA
zui大供电电压 (Vsup)	5.5 V
zui小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
宽度	8 mm

K6X1008C2D-PF70

公司还提供以下

封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）
1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）K6X1008C2D-PF70
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV K6X1008C2D-PF70
精度：?0.05PF（A档） ?0.1PF（B档） ?0.25PF（C档） ?0.5%（D档）
?1%（F档） ?2%（G档） ?5%（J档） ?10%（K档）
?20%（M档） ?%2B80%-20%（Z档）K6X1008C2D-PF70
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌：村田三星国巨风华华新

温馨启示：电子元件是特殊产品，技术含量较高，由于本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，所以可能导致参数与性能的差异，如有不慎，很有可能导致元件购买错误(此种失误，非质量问题一律不退换！)，为了的解决您的问题，请您在购买我们元件前，将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们！拍下物品前请与我沟通产品价格，因格不稳定，实时单价请在线咨询，以便我们能准确的发货

全系列电容均有现货，如有查不到请联系客服，竭诚为您服务。

型号/规格

K6X1008C2D-PF70

品牌/商标

TI/德州仪器

封装

TSOP-32

批号

22+

包装方式

卷带编带包装