IRLML6302TRPBF 小信号场效应晶体管

参数名称	参数值
Source Content uid	IRLML6302TRPBF
是否Rohsren证	符合
生命周期	Active
Objectid	8006018398
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8541.21.00.95
Factory Lead Time	52 weeks
风险等级	0.75
Samacsys Description	MOSFET MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl
Samacsys Manufacturer	Infineon
Samacsys Modified On	2020-12-18 06:26:22
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	20 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)	0.78 A
zui大漏极电流 (ID)	0.78 A
zui大漏源导通电阻	0.6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
zui大反馈电容 (Crss)	28 pF
JEDEC-95代码	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度	150 ?C
zui低工作温度	-55 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	P-CHANNEL
功耗环境zui大值	0.54 W
zui大功率耗散 (Abs)	0.54 W
ren证状态	Not Qualified
子类别	Other Transistors
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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