FDMS86350 功率场效应晶体管

参数名称	参数值
Source Content uid	FDMS86350
Brand Name	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅
生命周期	Active
Objectid	4001118258
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
制造商包装代码	483AG
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	54 weeks
风险等级	1.05
Samacsys Description	MOSFET FET 80V 2.4 MOHM PQFN56
Samacsys Manufacturer	onsemi
Samacsys Modified On	2022-05-28 06:25:46
雪崩能效等级（Eas）	864 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	80 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)	80 A
zui大漏极电流 (ID)	25 A
zui大漏源导通电阻	0.0024 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	MO-240AA
JESD-30 代码	R-PDSO-N5
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度	150 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs)	156 W
zui大脉冲漏极电流 (IDM)	300 A
子类别	FET General Purpose Power
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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