MX29GL128FUT2I-11G 存储

地区:广东 深圳
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深圳市怡兴业电子科技有限公司

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参数名称 参数值
是否Rohsren证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1153564183
包装说明 TSOP1, TSSOP56,.8,20
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
Factory Lead Time 28 weeks
风险等级 7.69
zui长访问时间 110 ns
备用内存宽度 8
命令用户界面 YES
通用闪存接口 YES
数据轮询 YES
JESD-30 代码 R-PDSO-G56
JESD-609代码 e3
长度 18.4 mm
内存密度 134217728 bit
内存集成电路类型 FLASH
内存宽度 16
湿度敏感等级 3
功能数量 1
部门数/规模 128
端子数量 56
字数 8388608 words
字数代码 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
zui高工作温度 85 ?C
zui低工作温度 -40 ?C
组织 8MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1
封装等效代码 TSSOP56,.8,20
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小 8/16 words
并行/串行 PARALLEL
电源 3/3.3 V
编程电压 3 V
ren证状态 Not Qualified
就绪/忙碌 YES
座面zui大高度 1.2 mm
部门规模 128K
zui大待机电流 0.00003 A
子类别 Flash Memories
zui大压摆率 0.1 mA
zui大供电电压 (Vsup) 3.6 V
zui小供电电压 (Vsup) 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子节距 0.5 mm
端子位置 DUAL
切换位 YES
类型 NOR TYPE
宽度 14 mm
MX29GL128FUT2I-11G

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)MX29GL128FUT2I-11G
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV MX29GL128FUT2I-11G
精度:?0.05PF(A档) ?0.1PF(B档) ?0.25PF(C档) ?0.5%(D档)
?1%(F档) ?2%(G档) ?5%(J档) ?10%(K档)
?20%(M档) ?%2B80%-20%(Z档)MX29GL128FUT2I-11G
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

温馨启示:电子元件是特殊产品,技术含量较高,由于本身可能存在着多种品牌,后辍与封装,所以可能导致参数与性能的差异,如有不慎,很有可能导致元件购买错误(此种失误,非质量问题一律不退换!),为了的解决您的问题,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们!拍下物品前请与我沟通产品价格,因格不稳定,实时单价请在线咨询,以便我们能准确的发货

全系列电容均有现货,如有查不到请联系客服,竭诚为您服务。

型号/规格

MX29GL128FUT2I-11G

品牌/商标

Macronix

封装

TSSOP56

批号

22+

包装方式

卷带编带包装