NAND512W3A2SZA6E NAND 闪存

参数名称	参数值
是否Rohsren证	符合
生命周期	Obsolete
Objectid	8103284224
包装说明	VFBGA-63
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8542.32.00.51
风险等级	5.73
zui长访问时间	35 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PBGA-B63
JESD-609代码	e2
长度	11 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	4K
端子数量	63
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
zui高工作温度	85 ?C
zui低工作温度	-40 ?C
组织	64MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA63,10X12,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小	512 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
ren证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面zui大高度	1.05 mm
部门规模	16K
zui大待机电流	0.00005 A
子类别	Flash Memories
zui大压摆率	0.02 mA
zui大供电电压 (Vsup)	3.6 V
zui小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper/Nickel (Sn/Ag/Cu/Ni)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的zui长时间	30
切换位	NO
类型	SLC NAND TYPE
宽度	9 mm

公司还提供以下

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