HMC8410LP2FETR 射频/微波放大器

地区:广东 深圳
认证:

深圳市怡兴业电子科技有限公司

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参数名称 参数值
Source Content uid HMC8410LP2FETR
Brand Name Analog Devices Inc
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohsren证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8190828397
针数 6
制造商包装代码 CP-6-9
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.33.00.01
Date Of Intro 2016-07-26
风险等级 1.76
Samacsys Description RF Amplifier Wideband LNAs-DC-8GHz P1dB20dBm-20dB Gai
Samacsys Manufacturer Analog Devices
特性阻抗 50 Ω
构造 COMPONENT
增益 13 dB
zui大输入功率 (CW) 20 dBm
JESD-609代码 e3
zui大工作频率 10000 MHz
zui小工作频率 10 MHz
zui高工作温度 85 °C
zui低工作温度 -40 °C
射频/微波设备类型 WIDE BAND LOW POWER
端子面层 Matte Tin (Sn)

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)HMC8410LP2FETR
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV HMC8410LP2FETR
精度:±0.05PF(A档) ±0.1PF(B档) ±0.25PF(C档) ±0.5%(D档)
±1%(F档) ±2%(G档) ±5%(J档) ±10%(K档)
±20%(M档) ±+80%-20%(Z档)HMC8410LP2FETR
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

温馨启示:电子元件是特殊产品,技术含量较高,由于本身可能存在着多种品牌,后辍与封装,所以可能导致参数与性能的差异,如有不慎,很有可能导致元件购买错误(此种失误,非质量问题一律不退换!),为了的解决您的问题,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们!拍下物品前请与我沟通产品价格,因格不稳定,实时单价请在线咨询,以便我们能准确的发货

全系列电容均有现货,如有查不到请联系客服,竭诚为您服务。

型号/规格

HMC8410LP2FETR

品牌/商标

ADI/亚德诺

封装

SMD/SMT

批号

22+

包装方式

卷带编带包装