ATSAML21E18B-MUT 微控制器

地区:广东 深圳
认证:

深圳市怡兴业电子科技有限公司

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参数名称 参数值
Source Content uid ATSAML21E18B-MUT
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohsren证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 4001775603
包装说明 QFN-32
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 5A992.C
HTS代码 8542.31.00.01
Factory Lead Time 52 weeks
风险等级 1.3
具有ADC YES
地址总线宽度
位大小 32
CPU系列 CORTEX-M0
zui大时钟频率 32 MHz
DAC 通道 YES
DMA 通道 YES
外部数据总线宽度
JESD-30 代码 S-XQCC-N32
JESD-609代码 e3
长度 5 mm
湿度敏感等级 1
I/O 线路数量 25
端子数量 32
片上程序ROM宽度 8
zui高工作温度 85 ?C
zui低工作温度 -40 ?C
PWM 通道 YES
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装代码 HVQCCN
封装形状 SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
RAM(字节) 32768
ROM(单词) 262144
ROM可编程性 FLASH
筛选级别 TS 16949
座面zui大高度 1 mm
速度 48 MHz
zui大供电电压 3.63 V
zui小供电电压 1.62 V
标称供电电压 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 NO LEAD
端子节距 0.5 mm
端子位置 QUAD
宽度 5 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型 MICROCONTROLLER, RISC

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)ATSAML21E18B-MUT
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV ATSAML21E18B-MUT
精度:?0.05PF(A档) ?0.1PF(B档) ?0.25PF(C档) ?0.5%(D档)
?1%(F档) ?2%(G档) ?5%(J档) ?10%(K档)
?20%(M档) ?%2B80%-20%(Z档)ATSAML21E18B-MUT
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

温馨启示:电子元件是特殊产品,技术含量较高,由于本身可能存在着多种品牌,后辍与封装,所以可能导致参数与性能的差异,如有不慎,很有可能导致元件购买错误(此种失误,非质量问题一律不退换!),为了的解决您的问题,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们!拍下物品前请与我沟通产品价格,因格不稳定,实时单价请在线咨询,以便我们能准确的发货

全系列电容均有现货,如有查不到请联系客服,竭诚为您服务。

型号/规格

ATSAML21E18B-MUT

品牌/商标

MICROCHIP(美国微芯)

封装

VQFN-32

批号

22+

包装方式

卷带编带包装