B82464Z4472M 功率场效应晶体管

参数名称	参数值
Source Content uid	IRFS3206TRRPBF
是否Rohsren证	符合
生命周期	Active
Objectid	8006012317
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	52 weeks
风险等级	0.84
雪崩能效等级（Eas）	170 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	60 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)	210 A
zui大漏极电流 (ID)	120 A
zui大漏源导通电阻	0.003 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度	175 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs)	300 W
zui大脉冲漏极电流 (IDM)	840 A
ren证状态	Not Qualified
子类别	FET General Purpose Power
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的zui长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

公司还提供以下

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