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产品属性
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S25FL256SAGMFIR01
参数名称
参数值
是否Rohsren证
符合
生命周期
Transferred
Objectid
1164809471
零件包装代码
SOIC
包装说明
SOP, SOP16,.4
针数
16
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
3A991.B.1.A
HTS代码
8542.32.00.51
风险等级
4.56
其他特性
IT ALSO CONFIGURED AS 256M X 1
备用内存宽度
2
zui大时钟频率 (fCLK)
133 MHz
数据保留时间-zui小值
20
耐久性
100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-PDSO-G16
长度
10.3 mm
内存密度
268435456 bit
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
4
功能数量
1
端子数量
16
字数
67108864 words
字数代码
64000000
工作模式
SYNCHRONOUS
zui高工作温度
85 °C
zui低工作温度
-40 °C
组织
64MX4
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP16,.4
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
SERIAL
电源
3/3.3 V
编程电压
3 V
ren证状态
Not Qualified
座面zui大高度
2.65 mm
串行总线类型
SPI
zui大待机电流
0.0001 A
子类别
Flash Memories
zui大压摆率
0.1 mA
zui大供电电压 (Vsup)
3.6 V
zui小供电电压 (Vsup)
2.7 V
标称供电电压 (Vsup)
3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
类型
NOR TYPE
宽度
7.5 mm
zui长写入周期时间 (tWC)
500 ms
写保护
HARDWARE/SOFTWARE
公司还提供以下
封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)品牌:村田 三星 国巨 风华 华新
温馨启示:电子元件是特殊产品,技术含量较高,由于本身可能存在着多种品牌,后辍与封装,所以可能导致参数与性能的差异,如有不慎,很有可能导致元件购买错误(此种失误,非质量问题一律不退换!),为了的解决您的问题,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们!拍下物品前请与我沟通产品价格,因格不稳定,实时单价请在线咨询,以便我们能准确的发货
全系列电容均有现货,如有查不到请联系客服,竭诚为您服务。
S25FL256SAGMFIR01
CYPRESS/赛普拉斯
SOIC-Narrow-16
22+
卷带编带包装