CSD18537NQ5A 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

地区:广东 深圳
认证:

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类别
    
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
    
制造商
    
Texas Instruments
    
系列
    
NexFET?
    
包装
    
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel? 得捷定制卷带
零件状态
    
在售
    
FET 类型
    
N 通道
    
技术
    
MOSFET(金属氧化物)
    
漏源电压(Vdss)
    
60 V
    
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    
50A(Tc)
    
驱动电压(zui大 Rds On,zui小 Rds On)
    
6V,10V
    
不同 Id、Vgs 时导通电阻(zui大值)
    
13 毫欧 @ 12A, 10V
    
不同 Id 时 Vgs(th)(zui大值)
    
3.5V @ 250?A
    
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(zui大值)
    
18 nC @ 10 V
    
Vgs(zui大值)
    
±20V
    
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(zui大值)
    
1480 pF @ 30 V
    
FET 功能
    
-
    
功率耗散(zui大值)
    
3.2W(Ta),75W(Tc)
    
工作温度
    
-55°C ~ 150°C(TJ)
    
安装类型
    
表面贴装型
    
供应商器件封装
    
8-VSONP(5x6)
    
封装/外壳
    
8-PowerTDFN
    
基本产品编号
    
CSD18537
    


公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)CSD18537NQ5A
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV CSD18537NQ5A
精度:±0.05PF(A档) ±0.1PF(B档) ±0.25PF(C档) ±0.5%(D档)
±1%(F档) ±2%(G档) ±5%(J档) ±10%(K档)
±20%(M档) ±+80%-20%(Z档)CSD18537NQ5A
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

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全系列电容均有现货,如有查不到请联系客服,竭诚为您服务。

型号/规格

CSD18537NQ5A

品牌/商标

TI/德州仪器

封装形式

8-VSONP

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装