SI3443CDV-T1-GE3 晶体管 - FET，MOSFET

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.97A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
60 毫欧 @ 4.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
12.4 nC @ 5 V
Vgs
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
610 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散
2W（Ta），3.2W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
基本产品编号
SI3443

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

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