M29W010B90K1 NOR闪存

地区:广东 深圳
认证:

深圳市怡兴业电子科技有限公司

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参数名称 参数值
Source Content uid M29W010B90K1


是否Rohsren证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1508009135
零件包装代码 QFJ
包装说明 PLASTIC, LCC-32
针数 32
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
风险等级 7.79
zui长访问时间 90 ns
命令用户界面 YES
数据轮询 YES
耐久性 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PQCC-J32
JESD-609代码 e0
长度 13.97 mm
内存密度 1048576 bit
内存集成电路类型 FLASH
内存宽度 8
功能数量 1
部门数/规模 8
端子数量 32
字数 131072 words
字数代码 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS
zui高工作温度 70 ?C
zui低工作温度
组织 128KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ
封装等效代码 LDCC32,.5X.6
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL
电源 3/3.3 V
编程电压 2.7 V
ren证状态 Not Qualified
座面zui大高度 3.56 mm
部门规模 16K
zui大待机电流 0.0001 A
子类别 Flash Memories
zui大压摆率 0.02 mA
zui大供电电压 (Vsup) 3.6 V
zui小供电电压 (Vsup) 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD
端子形式 J BEND
端子节距 1.27 mm
端子位置 QUAD
切换位 YES
类型 NOR TYPE
宽度 11.43 mm

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)M29W010B90K1
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV M29W010B90K1
精度:?0.05PF(A档) ?0.1PF(B档) ?0.25PF(C档) ?0.5%(D档)
?1%(F档) ?2%(G档) ?5%(J档) ?10%(K档)M29W010B90K1
?20%(M档) ?%2B80%-20%(Z档)M29W010B90K1
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

温馨启示:电子元件是特殊产品,技术含量较高,由于本身可能存在着多种品牌,后辍与封装,所以可能导致参数与性能的差异,如有不慎,很有可能导致元件购买错误(此种失误,非质量问题一律不退换!),为了的解决您的问题,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们!拍下物品前请与我沟通产品价格,因格不稳定,实时单价请在线咨询,以便我们能准确的发货

全系列电容均有现货,如有查不到请联系客服,竭诚为您服务。

型号/规格

M29W010B90K1

品牌/商标

ST/意法

封装

PLCC-32

批号

22+

包装方式

卷带编带包装