FZ600R12KS4 IGBT 模块

产品属性    属性值
制造商:     Infineon
产品种类:     IGBT 模块
RoHS:      详细信息
产品:     IGBT Silicon Modules
配置:     Single
集电极—发射极zui大电压 VCEO:     1200 V
集电极—射极饱和电压:     3.2 V
在25 C的连续集电极电流:     700 A
栅极—射极漏泄电流:     400 nA
Pd-功率耗散:     3900 W
封装 / 箱体:     62 mm
zui小工作温度:     - 40 C
zui大工作温度:     %2B 125 C
封装:     Tray
商标:     Infineon Technologies
高度:     36.5 mm
长度:     106.4 mm
栅极/发射极zui大电压:     20 V
安装风格:     Chassis Mount
产品类型:     IGBT Modules
系列:     IGBT2 Fast
工厂包装数量    10
子类别:     IGBTs
技术:     Si
宽度:     61.4 mm
零件号别名:     SP000100773 FZ600R12KS4HOSA1
单位重量:     340 g

公司还提供产品属性    属性值
制造商:     Infineon
产品种类:     IGBT 模块
RoHS:      详细信息
产品:     IGBT Silicon Modules
配置:     Single
集电极—发射极zui大电压 VCEO:     1200 V
集电极—射极饱和电压:     3.2 V
在25 C的连续集电极电流:     700 A
栅极—射极漏泄电流:     400 nA
Pd-功率耗散:     3900 W
封装 / 箱体:     62 mm
zui小工作温度:     - 40 C
zui大工作温度:     %2B 125 C
封装:     Tray
商标:     Infineon Technologies
高度:     36.5 mm
长度:     106.4 mm
栅极/发射极zui大电压:     20 V
安装风格:     Chassis Mount
产品类型:     IGBT Modules
系列:     IGBT2 Fast
工厂包装数量    10
子类别:     IGBTs
技术:     Si
宽度:     61.4 mm
零件号别名:     SP000100773 FZ600R12KS4HOSA1
单位重量:     340 g
以下

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

温馨启示：电子元件是特殊产品，技术含量较高，由于本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，所以可能导致参数与性能的差异，如有不慎，很有可能导致元件购买错误(此种失误，非质量问题一律不退换！)，为了的解决您的问题，请您在购买我们元件前，将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们！拍下物品前请与我沟通产品价格，因格不稳定，实时单价请在线咨询，以便我们能准确的发货

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