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MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3  BSZ16DN25NS3 产品属性
制造商: Infineon  
产品种类: MOSFET  
RoHS:  详细信息  
技术: Si  
安装风格: SMD/SMT  
封装 / 箱体: TSDSON-8  
晶体管极性: N-Channel  
通道数量: 1 Channel  
Vds-漏源极击穿电压: 250 V  
Id-连续漏极电流: 10.9 A  
Rds On-漏源导通电阻: 146 mOhms  
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V  
Qg-栅极电荷: 11.4 nC  
zuixioa工作温度: - 55 C  
zuida工作温度: + 150 C  
Pd-功率耗散: 62.5 W  
通道模式: Enhancement  
商标名: OptiMOS  
封装: Reel  
封装: Cut Tape  
封装: MouseReel  
商标: Infineon Technologies  
配置: Single  
下降时间: 4 ns  
正向跨导 - zuixiao值: 7 S  
高度: 1.1 mm  
长度: 3.3 mm  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 4 ns  
系列: OptiMOS 3  
工厂包装数量: 5000  
子类别: MOSFETs  
晶体管类型: 1 N-Channel  
典型关闭延迟时间: 11 ns  
典型接通延迟时间: 6 ns  
宽度: 3.3 mm  
零件号别名: SP000781800 BSZ16DN25NS3GXT BSZ16DN25NS3GATMA1  
单位重量: 38.760 mg  
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MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3  BSZ16DN25NS3 供应商介绍
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主营范围：消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络。
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