BSC030P03NS3G TDSON-8 INFINEON/英飞凌

类型

描述

类别

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

25.4A（Ta），100A（Tc）

驱动电压

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻

3 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)

3.1V @ 345μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)

186 nC @ 10 V

Vgs

±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)

14000 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散

2.5W（Ta），125W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TDSON-8-1

封装/外壳

8-PowerTDFN