CS2N60A3H TO-251 600V 2A

产品详情：

ID	Continuous Drain Current 连续漏电流	2A
ID	Continuous Drain Current TC = 100 °C 连续漏电流TC= °C	1.45A
a1 IDM	Pulsed Drain Curren 脉冲漏电流	8A

Symbol	Drain-to-Source Voltage 漏极到源极电压	600V
VGS	Gate-to-Source Voltage 栅极到源极电压	±30V
EAS a1/a2	Avalanche Energy 雪崩能量	6.4mJ/80mJ
Symbol	Derating Factor above 25°C 扣减系数大于25°C	0.28W/℃

PD	Power Dissipation 功耗	35W
TJ，Tstg	Operating Junction and Storage Temperature Range 工作结点和存储温度范围	-55~150℃
TL	MaximumTemperature for Soldering 焊接高温度	300℃

FET类型：N沟道MOSFET

漏源电压（Vdss）：600V

漏极电流（Id）：2A

漏源导通电阻(RDS On)：4.5mR
深圳市达纬思电子有限公司主营代理华润微MOS、IGBT全系列产品，有为客户提供配套服务20年经验，
为广大客户提供贴片电容、电阻、二三极管、LED、钽电容、MCU、CUP等电子元器件配套服务。
公司实力雄厚，重信用、守合同、保证产品质量，以多品种经营特色和薄利多销的原则，赢得了
广大客户的信任！

型号/规格

CS2N60A3H

品牌/商标

CRMICRO华润微

封装形式

TO-251

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征

大功率

供应CS2N60A3H TO-251 600V 2A