CS17N10A4 TO-252 100V 53mR

产品详情：

Symbol	Derating Factor above 25°C 扣减系数大于25°C	56.8W
VDSS	Drain-to-Source Voltage 漏极到源极电压	100V
IDM a1	Continuous Drain Current 连续漏电流（TC=25°C） Continuous Drain Current 连续漏电流（TC = 100 °C ） Pulsed Drain Current 脉冲漏电流(TC = 25 °C )	17A 13.7A 68A
VGS	Gate-to-Source Voltage 栅极到源极电压	±20V
EAS a2	Avalanche Energy 雪崩能量	46.9mJ
PD	Power Dissipation 功耗(TC=25°C）	0.454W/℃
TJ，Tstg	Operating Junction and Storage Temperature Range工作结点和存储温度范围	-55~150℃

华润华晶的CS17N10A4 TO-252 100V 17A 53mR 56.8W无缝替代英飞凌IRLR3410TRPBF
型号：CS17N10A4

漏源电压（Vdss）：100V

漏极电流（Id）：17A
漏源导通电阻(RDS On)：53mR

FET类型：N沟道MOSFET
深圳市达纬思电子有限公司主营代理华润微MOS、IGBT全系列产品，有为客户提供配套服务20年经验，为广大客户提供贴片电容、电阻、二三极管、LED、钽电容、MCU、CUP等电子元器件配套服务。公司实力雄厚，重信用、守合同、保证产品质量，以多品种经营特色和薄利多销的原则，赢得了广大客户的信任！