ZOS-R1106-03

地区:广东 中山
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广东洲光源红外半导体有限公司

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ZOS-R1106-03 由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成,它们并排封装在 黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正 常情况。但当物体在中间时,光电晶体管不能接收辐射。有关更多组件信息,请参阅 IR 和 PT。

The ZOS-R1106-03 consist of an infrared emitting diode and an NPN silicon phototransistor, encased side-by-side on converging optical axis in a black thermoplastic housing.The phototransistor receives radiation from the IR only .This is the normal situation. But when an object is in between , phototransistor could not receives the radiation.For additional component information , please refer to IR and PT


特性Feature

--可靠性高、辐射强度高、低电压驱动

 High reliability、High radiant intensity、Low forward voltage、

 --感应速度快、感光度强 

Fast response time、High photo sensitivity 

--截止感应波长 940nm

 Cut-off visible wavelength λp=940nm 

--无铅材料、Rohs 

Pb.Free、RoHS compliant version


应用Application

--打印机、非接触开关 

Printer、Non-contact Switching 

--智能电子产品

 Intelligent Electronic Products

 --工业机械设备 

Industrial Intelligent Equipment

--安防防护应用 

Safety Application Products

额定值Absolute Maximum Ratings


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光电特性Electro-Optical Characteristics

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产品尺寸Package Dimension

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型号/规格

ZOS-R1106-03

品牌/商标

广东洲光源红外半导体有限公司