MT41K128M16JT-125:K 存储器

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存储器类型:Volatile 存储器容量:2Gb (128M x 16) 存储器接口类型:Parallel 工作电压:1.238V ~ 1.45V 2-Gbit(128M × 16bit),工作电压:1.35V

属性 参数值
商品目录 DDR SDRAM
存储器类型 Volatile
存储器构架(格式) DRAM
存储器容量 2Gb (128M x 16)
存储器接口类型 Parallel
工作电压 1.238V ~ 1.45V
格式 - 存储器:RAM
存储器类型:DDR3L SDRAM
存储容量:2G(128M x 16)
速度:800MHz
接口:并联
电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V
工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
封装/外壳:96-TFBGA
供应商器件封装:96-FBGA(8x14)



型号/规格

MT41K128M16JT-125:K

品牌/商标

MICRON

封装

BGA

批号

21+

数量

10000