IRFB3206PBF二极管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市中芯达智能科技有限公司

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产品属性
类型

选择 
类别
制造商
Infineon Technologies
系列




FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流- 连续漏极(Id)
120A(Tc)
驱动电压
10V
不同Id、Vgs 时导通电阻
3 毫欧@ 75A,10V
不同Id 时Vgs(th)
4V @ 150μA
不同Vgs 时栅极电荷 (Qg)
170 nC @ 10 V
Vgs
±20V
不同Vds 时输入电容(Ciss)
6540 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号001
型号/规格

IRFB3206PBF二极管

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

TO-220-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

盒带编带包装

功率特性

中功率

整流电流

300W(Tc)