供应K4A8G085WC-BCWE 原装 DDR4

地区:广东 深圳
认证:

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K4A8G085WC-BCWE 原装 DDR4 的技术参数:

制造商

SAMSUNG

RoHS

容量

8GB

DRAM 类型

DDR4 SDRAM

类别

DRAM 动态随机存储器

工作电压

1.2V

架构

1Gx8

(max)时钟频率

3200 Mbps

工作温度

0°C ~ 85 °C

 

 DDR4 RAM 能否支持各种主板?

实际上,DDR3 几乎兼容所有主板及其插槽,但 DDR4 仅兼容使用英特尔 X99 芯片组和 LGA 2011 处理器插槽的主板

 

能否用 DDR4 代替 DDR3

DDR3 DDR4 互不兼容。两者的物理插槽不同,此外输入电压、引脚数量等参数也不相同。

 

DDR4 是否比 DDR3 更值得配置?

DDR4 是一种设计为比 DDR3 更好、更快、更可靠的替代存储器标准。DDR4 模组 (DIMM) 在外形上与 DDR3 DIMM 极为相似。不同的是,DDR4 具有 288 个引脚,而 DDR3 只有 240 个引脚;DDR4 SO-DIMM 具有 260 个引脚,而 DDR3 只有 204 个。DDR4 的卡入槽口位于不同的位置,边缘连接器类似于轻微弯曲的“V”以方便插入。由于采用这种设计,插入时需要的力度更小,因为在插入模组过程中并非所有的引脚都需要同时啮合。DDR4 模组的能效更高,工作电压仅为 1.2V,而 DDR3 的工作电压为 1.5V 1.35V。由于耗电量更低,因此可以节省大量的电力,无需更高的电力和冷却要求即可更加高速地运行。DIMM 密度以 2 GB 起步,可以高达 128 GB,相比 DDR3 只有 512 MB 32 GB 的容量实现了巨大飞跃。适用于嵌入式和工业应用的新型 DDR4 模组可实现高达 3200 MT/s 的高速数据传输。例如,DDR4-3200ATP 公司的新型工业级 DDR4 )的传输速率比 DDR3-1866(当前较快的 DDR3 版本之一)快 70% 左右,实现了理论峰值性能的巨大提升。

 

全新原包原装可含税(香港可交)

K4UBE3D4AA-MGCL

K4UBE3D4AB-MGCL

K4U6E3S4AA-MGCR

KLMBG2JETD-B041

KLMAG1JETD-B041

KLM8G1GETF-B041

KLM4G1FETE-B041

K4E8E324EB-EGCF

K4E6E304EB-EGCF

K4E6E304EC-EGCG

K4B4G1646E-BCNB

K4A8G165WB-BCRC

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MT29F2G08ABAGAWP-IT:G

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E

MT29F2G08ABAEAWP:E

MT29F2G08ABAEAH4:E

MT29F2G01ABAGDWB-IT:G

MT53D512M64D4HR-053 WT:D

型号

K4A8G085WC-BCWE

制造商

SAMSUNG/三星

封装

FBGA

批次

23+

无铅/环保

无铅/环保