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产品属性
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K4A8G085WC-BCWE 原装 DDR4 的技术参数:
制造商 | SAMSUNG |
RoHS | 是 |
容量 | 8GB |
DRAM 类型 | DDR4 SDRAM |
类别 | DRAM 动态随机存储器 |
工作电压 | 1.2V |
架构 | 1Gx8 |
(max)时钟频率 | 3200 Mbps |
工作温度 | 0°C ~ 85 °C |
DDR4 RAM 能否支持各种主板?
实际上,DDR3 几乎兼容所有主板及其插槽,但 DDR4 仅兼容使用英特尔 X99 芯片组和 LGA 2011 处理器插槽的主板
能否用 DDR4 代替 DDR3?
DDR3 和 DDR4 互不兼容。两者的物理插槽不同,此外输入电压、引脚数量等参数也不相同。
DDR4 是否比 DDR3 更值得配置?
DDR4 是一种设计为比 DDR3 更好、更快、更可靠的替代存储器标准。DDR4 模组 (DIMM) 在外形上与 DDR3 DIMM 极为相似。不同的是,DDR4 具有 288 个引脚,而 DDR3 只有 240 个引脚;DDR4 SO-DIMM 具有 260 个引脚,而 DDR3 只有 204 个。DDR4 的卡入槽口位于不同的位置,边缘连接器类似于轻微弯曲的“V”以方便插入。由于采用这种设计,插入时需要的力度更小,因为在插入模组过程中并非所有的引脚都需要同时啮合。DDR4 模组的能效更高,工作电压仅为 1.2V,而 DDR3 的工作电压为 1.5V 或 1.35V。由于耗电量更低,因此可以节省大量的电力,无需更高的电力和冷却要求即可更加高速地运行。DIMM 密度以 2 GB 起步,可以高达 128 GB,相比 DDR3 只有 512 MB 至 32 GB 的容量实现了巨大飞跃。适用于嵌入式和工业应用的新型 DDR4 模组可实现高达 3200 MT/s 的高速数据传输。例如,DDR4-3200(ATP 公司的新型工业级 DDR4 )的传输速率比 DDR3-1866(当前较快的 DDR3 版本之一)快 70% 左右,实现了理论峰值性能的巨大提升。
全新原包原装可含税(香港可交)
K4UBE3D4AA-MGCL K4UBE3D4AB-MGCL K4U6E3S4AA-MGCR KLMBG2JETD-B041 KLMAG1JETD-B041 KLM8G1GETF-B041 KLM4G1FETE-B041 K4E8E324EB-EGCF K4E6E304EB-EGCF K4E6E304EC-EGCG K4B4G1646E-BCNB K4A8G165WB-BCRC
MT29F4G08ABAEAWP:E
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
MT29F2G08ABAEAWP:E
MT29F2G08ABAEAH4:E
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
MT53D512M64D4HR-053 WT:D
K4A8G085WC-BCWE
SAMSUNG/三星
FBGA
23+
无铅/环保