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产品属性
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2ED020I12-FI 原装 门驱动器
制造商 |
Infineon |
产品种类 |
门驱动器 |
产品 |
IGBT, MOSFET Gate Drivers |
类型 |
High Side |
安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
DSO-18 |
激励器数量 |
2 Driver |
输出端数量 |
2 Output |
输出电流 |
0.041666667 |
电源电压 |
14 V to 18 V |
配置 |
Inverting, Non-Inverting |
上升时间 |
20 ns |
下降时间 |
20 ns |
工作温度 |
- 40 C to + 150 C |
系列 |
2ED-FI Enhanced |
输出电压 |
1.7 V |
技术 |
Si |
逻辑类型 |
CMOS, TTL |
传播延迟(max) |
130 ns |
关闭 |
Yes |
湿度敏感性 |
Yes |
工作电源电流 |
3.9 mA |
工作电源电压 |
14 V to 18 V |
Pd-功率耗散 |
1.4 W |
MT29F64G08CBABBWPR:B |
MICRON/美光 |
KLMBG2JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
K4B4G1646E-BCNB |
SAMSUNG/三星 |
K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
K4U6E3S4AA-MGCR |
SAMSUNG/三星 |
K4UBE3D4AA-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
K4UBE3D4AB-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
2ED020I12-FI
Infineon英飞凌
DSO-18
22+
环保