供应K4B4G0846E-BCK0 原装 DDR3

地区:广东 深圳
认证:

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K4B4G0846E-BCK0 原装 DDR3

由于带宽和可靠性得到提升,三星 DDR3 在笔记本电脑、台式机和工业解决方案(包括汽车)等设备中得到广泛应用,且速度均为 DDR2 的两倍。

三星业界先进的 30 纳米级 DRAM 能耗更低,与上一代产品相比,能耗减少了 30%,进而降低了总体拥有成本。

 

K4B4G0846E-BCK0 原装 DDR3 的技术参数:

脚位/封装

FBGA-78

外包装

TRAY

无铅/环保

无铅/环保

电压()

1.5 V

温度规格

0°C ~+  85°C

速度

1600 Mbps

Number Of Words

512M

Bit Organization

x8

Density

4G

Rohs

针脚数

78


 

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TC58NVG1S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

TC58NVG0S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

TC58NVG0S3ETAI0 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

TC58BVG1S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

TC58BVG0S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

NT5CC64M16GP-DII 10000 BGA 22+ NANYA/南亚

NT5CC128M16JR-EK 10000 BGA 22+ NANYA/南亚

NT5AD512M16C4-HR 10000 BGA 22+ NANYA/南亚

NT5AD512M16A4-HR 10000 BGA 22+ NANYA/南亚

NT5AD256M16D4-HR 10000 BGA 22+ NANYA/南亚

KMGX6001BA-B514 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

KMGP6001BA-B514 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

K4A8G165WC-BCTD 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

K4A8G165WC-BCRC 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

K4A8G165WB-BCRC 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

K4A4G165WF-BCTD 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

K4A4G165WE-BCRC 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

H9HCNNNCPUMLHR-NME 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H5AN8G6NCJR-VKC 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H5AN4G6NBJR-VKC 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H5AN4G6NBJR-UHC 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H26M41208HPR 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H26M41204HPR 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

MTFC8GAKAJCN-4MIT 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光

MTFC4GACAJCN-4MIT 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光

MTFC4GACAJCN-1MWT 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光

MT53E256M32D2DS-053WT:B 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光

MT53D512M64D4HR-053WT:D 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光

 

型号

K4B4G0846E-BCK0

制造商

SAMSUNG/三星

封装

FBGA

批次

22+

无铅/环保

无铅/环保