K4B4G0846E-BYK0 原装 DDR3

4Gb E-die DDR3L SDRAM

78FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

K4B4G0846E-BYK0 原装 DDR3 的技术参数：

制造商	Samsung
技术	DDR3
容量	4GB（512M x 8）
速率	1600Mbps
封装	BGA78
温度规格	0 to 85°C TA
工作电压	1.35/1.5V
包装量	1120
外包装	TRAY

K4B4G0846E-BYK0 原装 DDR3 的描述：

The 4Gb DDR3 SDRAM E-die is organized as a 128Mbit x 4 I/Os x 8banks, 64Mbit x 8 I/Os x 8banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin (DDR3-1866) for general applications.

The chip is designed to comply with the following key DDR3 SDRAM features such as posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, On Die Termination using ODT pin and Asynchronous Reset .

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