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W25Q32JVSSIQ NAND FLASH原装
Winbond闪存,32Mbit(4M x 8),SPI接口,8引脚SOIC封装
NOR Flash Serial(SPI,Dual SPI,Quad SPI)3V/3.3V 32M-bit 4M x 8 6ns 8-Pin SOIC T/R
W25Q32JVSSIQ NAND FLASH原装的描述:
32 MB串行闪存,具有统一的4 KB扇区和双路/四路SPI
单路/双路/四路SPI操作
统一的4 KB可擦除扇区和32 KB/64 KB可擦除块
16,384页(256字节),页编程时间为0.7 mS(典型值)
连续读取,8/16/32/64字节包绕
时钟工作频率高达133 MHz(双路/四路SPI时分别为266/532 MHz)
4mA有源读取电流、<1μA断电电流
编程/擦除暂停/恢复、暂停状态位
具有双路/四路SPI的电子ID,为顶部或底部块提供硬件和软件写入保护
易失和非易失状态寄存器位
锁定和OTP保护
串行闪存可发现参数(SFDP)
3 x 256字节安全寄存器,带OTP锁
补充阵列保护位
单个块/扇区写入保护
软件重置和可配置硬件/复位引脚
可编程输出驱动器强度
W25Q32JVSSIQ NAND FLASH原装的技术参数:
类别 |
存储器 |
制造商 |
Winbond Electronics |
系列 |
SpiFlash |
包装 |
管件 |
存储器类型 |
非易失 |
存储器格式 |
闪存 |
技术 |
FLASH - NOR |
尺寸 |
5.38 x 5.38 x 1.91mm |
字组数目 |
4M |
每字组的位元数目 |
8Bit |
存储容量 |
32Mb(4M x 8) |
存储器接口 |
SPI - 四 I/O |
时钟频率 |
133 MHz |
写周期时间 - 字,页 |
3ms |
电压 - 供电 |
2.7V ~ 3.6V |
工作温度 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 |
表面贴装型 |
封装/外壳 |
8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) |
供应商器件封装 |
8-SOIC |
基本产品编号 |
W25Q32 |
W25Q32JVSSIQ
Winbond
SOIC
21+/22+
无铅/环保