原装TC58BVG0S3HTA00 EEPROM 

原装TC58BVG0S3HTA00  EEPROM NAND Flash

TC58BVG0S3HTA00  1Gbit BENAND, 3.3V, x8, 24nm, TSOP

TC58BVG0S3HTA00  TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

TC58BVG0S3HTA00  1 GBIT (128M × 8 BIT) CMOS NAND E2 PROM

 

TC58BVG0S3HTA00的技术参数：

制造商 ： Kioxia

产品种类 ： NAND闪存

RoHS ： 是

安装风格 ： SMD/SMT

封装 ： / ： 箱体TSOP-48

存储容量 ： 1 Gbit

接口类型 ： Parallel

组织 ： 128 M x 8

数据总线宽度 ： 8 bit

电源电压 ： 2.7 V~3.6 V

工作温度 ： 0 C~+ 70 C

封装 ： Tray

存储类型 ： NAND

商标 ： Kioxia America

湿度敏感性 ： Yes

产品类型 ： NAND Flash

工厂包装数量 ： 96

子类别 ： Memory & Data Storage

存储器构架(格式) ： EEPROM

 

描述

TC58BVG0S3HTA00是一个单一的3.3V 1Gbit（1,107,296,256位）NAND电可擦除和

可编程只读存储器(NAND E2PROM)组织为（2048+64）字节×64页×1024块。

该设备具有一个2112字节的静态寄存器，它允许程序和读取数据以2112字节的增量在寄存器和存储器单元阵列之间传输。擦除操作在单个块单元中实现(128K字节+4K字节：2112字节×64页)。

TC58BVG0S3HTA00是一种串行型存储器设备，它将I/O引脚用于地址和数据输入/输出以及命令输入。

擦除和程序操作被自动执行，使设备适合于固态文件存储、录音、静态相机的图像文件存储器和其他需要高密度非易失性存储器数据存储的系统等应用。

TC58BVG0S3HTA00在芯片上有ECC逻辑，每528字节的8位读取错误可以被纠正