原装 H9HCNNNCPMMLXR-NEE LPDDR4

原装RAM H9HCNNNCPMMLXR-NEE  LPDDR4

RAM H9HCNNNCPMMLXR-NEE 8192MB SODIMM LPDDR4 4266MT/s

RAM H9HCNNNCPMMLXR-NEE的技术参数：

制造商 ： SK Hynix

存储类型 ： LPDDR4

容量 ： 32Gbit

速率 ： 4266 Mbps

产品种类 ： 动态随机存储器

脚位/封装 ： FBGA-200

无铅/环保 ： 无铅/环保

电压(伏) ： 1.1 V

温度规格 ： -25°C~+85°C

速度 ： 2133 MHZ

标准包装数量 ： 1600

LPDDR4 性能. ：

由于输入/输出接口数据传输速度可达3200Mbps，是通常使用的DDR3 DRAM的两倍，新推出的8Gb LPDDR4内存可以支持超高清影像的拍摄和播放,并能持续拍摄2000万像素的高清照片。. 与LPDDR3内存芯片相比，LPDDR4的运行电压降为1.1伏，堪称适用于大屏幕智能手机和平板电脑、高性能网络系统的功耗存储解决方案。以2GB内存封装为例，比起基于4Gb LPDDR3芯片的2GB内存封装，基于8Gb LPDDR4芯片的2GB内存封装因运行电压的降低和处理速度的提升，可节省40%的耗电量。

中文名: ： LPDDR4

基本解释: ： 移动设备的“工作记忆”内存

外文名: ： Low Power Double Data Rate 4

全新原包原装可含税（香港可交）

H9HCNNNCPMALHR-NEE

H9HCNNNBPUMLHR-NMO

H9HCNNNBPUMLHR-NMN

H9HCNNNBKUMLHR-NME

H9HCNNNBKMALHR-NEE

H9HCNNN8KUMLHR-NLN

H9CCNNNCPTALBR-NUD

H9CCNNNBKTALBR-NUD

H9CCNNNBJTALAR-NUD