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原装RAM H9HCNNNCPMMLXR-NEE LPDDR4
RAM H9HCNNNCPMMLXR-NEE 8192MB SODIMM LPDDR4 4266MT/s
RAM H9HCNNNCPMMLXR-NEE的技术参数:
制造商 : SK Hynix
存储类型 : LPDDR4
容量 : 32Gbit
速率 : 4266 Mbps
产品种类 : 动态随机存储器
脚位/封装 : FBGA-200
无铅/环保 : 无铅/环保
电压(伏) : 1.1 V
温度规格 : -25°C~+85°C
速度 : 2133 MHZ
标准包装数量 : 1600
LPDDR4 性能. :
由于输入/输出接口数据传输速度可达3200Mbps,是通常使用的DDR3 DRAM的两倍,新推出的8Gb LPDDR4内存可以支持超高清影像的拍摄和播放,并能持续拍摄2000万像素的高清照片。. 与LPDDR3内存芯片相比,LPDDR4的运行电压降为1.1伏,堪称适用于大屏幕智能手机和平板电脑、高性能网络系统的功耗存储解决方案。以2GB内存封装为例,比起基于4Gb LPDDR3芯片的2GB内存封装,基于8Gb LPDDR4芯片的2GB内存封装因运行电压的降低和处理速度的提升,可节省40%的耗电量。
中文名: : LPDDR4
基本解释: : 移动设备的“工作记忆”内存
外文名: : Low Power Double Data Rate 4
全新原包原装可含税(香港可交) H9HCNNNCPMALHR-NEE H9HCNNNBPUMLHR-NMO H9HCNNNBPUMLHR-NMN H9HCNNNBKUMLHR-NME H9HCNNNBKMALHR-NEE H9HCNNN8KUMLHR-NLN H9CCNNNCPTALBR-NUD H9CCNNNBKTALBR-NUD H9CCNNNBJTALAR-NUD
H9HCNNNCPMMLXR-NEE
SK Hynix /海力士
FBGA
23+
无铅/环保
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MT51J256M32HF-80:B 原装 GDDR5
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CY62136FV30LL-45BVXI 存储器
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