GD25LQ256DW闪存存储器

产品属性
类型
描述
选择 
类别
集成电路（IC）
存储器
制造商
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
定制卷带
零件状态
不适用于新设计
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
FLASH - NOR
存储容量
256Mb（32M x 8）
存储器接口
SPI - 四 I/O
时钟频率
120 MHz
写周期时间 - 字，页
2.4ms
电压 - 供电
1.65V ~ 2V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
8-WSON（5x6）
基本产品编号
GD25LQ256
产品图片  

环境与出口分类
属性 描述
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) 3（168 小时）
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071

Serial Flash产品特点：

单电压供电
3V产品供电电压范围：2.7V~3.6V
1.8V产品供电电压范围：1.62V~1.98V
四输入/输出口(Quad I/O)
通过四输入/输出口功能可以使传输速率有效的提高至Z大480Mbps
数据保持时间20年
擦写次数可达10万次
工作温度范围 -40℃~+85℃
易于管理的架构
每4K bytes为一个Sector
每32K/64K bytes为一个Block
能够以Block和Sector为单位执行擦除(Erase)操作
每256 bytes为一个Page
能够以Page为单位执行写(Program)操作