IRFR5505TRPBF集成电路
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
IRFR5505TRPBF的属性：
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | IRFR5505TRPBF |
| 是否Rohs认zan |
 符合
|
| 生命周期 | Active |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 15 weeks |
| 风险等级 | 0.77 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 150 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| zui小漏源击穿电压 | 55 V |
| zui大漏极电流 (Abs) (ID) | 18 A |
| zui大漏极电流 (ID) | 18 A |
| zui大漏源导通电阻 | 0.11 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-252AA |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| zui高工作温度 | 150 °C |
| zui低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| zui大功率耗散 (Abs) | 57 W |
| zui大脉冲漏极电流 (IDM) | 64 A |
| 认zan状态 | Not Qualified |
| 子类别 | Other Transistors |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的zui长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | IRFR5505TRPBF |
| 是否Rohs认zan |
符合
|
| 生命周期 | Active |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 15 weeks |
| 风险等级 | 0.77 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 150 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| zui小漏源击穿电压 | 55 V |
| zui大漏极电流 (Abs) (ID) | 18 A |
| zui大漏极电流 (ID) | 18 A |
| zui大漏源导通电阻 | 0.11 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-252AA |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| zui高工作温度 | 150 °C |
| zui低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| zui大功率耗散 (Abs) | 57 W |
| zui大脉冲漏极电流 (IDM) | 64 A |
| 认zan状态 | Not Qualified |
| 子类别 | Other Transistors |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的zui长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
IRFR5505TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252
21+
