现货供应三星驱动器K4E8E324ED-EGCG

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属性 参数值
商品目录 DDR SDRAM
存储器构架(格式) DRAM     

K4E8E324ED-EGCG


存储器接口类型 Parallel    

K4E8E324ED-EGCG


存储器容量 2Gb (128M x 16)
工作电压 1.283V ~ 1.45V
存储器类型   K4E8E324ED-EGCG Volatile

K4E8E324ED-EGCG


型号/规格

K4E8E324ED-EGCG

品牌/商标

SAMSUNG/三星

封装

FBGA

批号

21+

数量

3000