琦凌凯 SI2371EDS-T1-GE3 MOS管

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制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 4.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 45 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 10.6 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.7 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI2
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 52 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 52 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
零件号别名: SI2371EDS-T1-BE3

单位重量: 8 mg

型号/规格

SI2371EDS-T1-GE3

品牌/商标

Vishay

封装形式

SOT-23-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率

琦凌凯供应 SI2371EDS-T1-GE3 MOS管