供应BSM100GB120DN2原装INFINEON品牌

型号：BSM100GB120DN2

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型号：BSM100GB120DN2

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型号：BSM100GB120DN2

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Half Bridge
集电极—发射极大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
Pd-功率耗散: 800 W
封装 / 箱体: Half Bridge2
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
高度: 30 mm
长度: 106.4 mm
栅极/发射极大电压: 20 V
安装风格: Chassis Mount
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
技术: Si
宽度: 61.4 mm
零件号别名: SP000100720 BSM100GB120DN2HOSA1
单位重量: 355.475 g

型号：BSM100GB120DN2