供应BSM35GB120DN2原装INFINEON品牌

型号：BSM35GB120DN2

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型号：BSM35GB120DN2

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型号：BSM35GB120DN2

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Half Bridge
集电极—发射极大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 3.2 V
在25 C的连续集电极电流: 50 A
栅极—射极漏泄电流: 150 nA
Pd-功率耗散: 280 W
封装 / 箱体: Half Bridge1
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
高度: 30.5 mm
长度: 94 mm
栅极/发射极大电压: 20 V
安装风格: Chassis Mount
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
技术: Si
宽度: 34 mm
零件号别名: SP000100461 BSM35GB120DN2HOSA1

型号：BSM35GB120DN2