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型号:IPG20N10S4L-22A
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型号:IPG20N10S4L-22A
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公司始终坚持以“诚实守信.薄利多销”为原则,将产品质量和客户利益放在位,腾桩电子向客户所提供的元器件确保是100%原装,对货物所涉及的各个环节严格把关。保证货物质量是我们的首要任务,降低客户成本是我们的永远追求。
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型号:IPG20N10S4L-22A
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms, 20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Qg-栅极电荷: 27 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 60 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
下降时间: 18 ns, 18 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3 ns, 3 ns
系列: XPG20N10
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 30 ns, 30 ns
典型接通延迟时间: 5 ns, 5 ns
零件号别名: SP001091984 IPG20N10S4L22AATMA1
单位重量: 100.390 mg
型号:IPG20N10S4L-22A
IPG20N10S4L-22A
INFINEON
TDSON-8
21+
2023