供应BSC010NE2LSI原装INFINEON品牌

型号：BSC010NE2LSI

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型号：BSC010NE2LSI

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型号：BSC010NE2LSI

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.05 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 59 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 96 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 小值: 80 S
下降时间: 4.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6.2 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 6.3 ns
零件号别名: BSC1NE2LSIXT SP000854376 BSC010NE2LSIATMA1
单位重量: 104.400 mg

型号：BSC010NE2LSI