NTF2955T1G MOSFET -60V 2.6A P-Channel

NTF2955T1G

造商: onsemi

产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 2.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 185 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 14.3 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 2.3 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 38 ns
正向跨导 - zui小值: 1.77 S
高度: 1.57 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 7.6 ns
系列: NTF2955
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 65 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
宽度: 3.5 mm
单位重量: 250 mg

型号/规格

NTF2955T1G

品牌/商标

ON

封装

SOT-223-3

批号

21+

工厂包装数量:

1000