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产品信息
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™ F6
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
68 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
110A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
6.5 毫欧 @ 55A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
100 nC @ 10 V
Vgs(大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
5850 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(大值)
176W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP110
STP110N7F6
ST
TO-220
21+
30000
1000
原装进口
仅供参考 下单以实物为准