第 4 代 750 V 碳化硅 FET 有助于实现新一代电源设计

UJ4SC075009K4S UJ4SC075011K4S UJ4C075023K3S 

UJ4C075023K4S UJ4C075033K3S UJ4C075033K4S 

UJ4C075044K4S UJ4C075018K3S UJ4C075018K4S 

UJ4C075060K3S UJ4C075060K4S

UnitedSiC UJ4C 第 4 代 SiC FET 系列基于独特的共源共栅配置，额定电压为 750 V，同时具有出色的性能因数，可以降低传导损耗，并提高高速时的效率，同时提高整体成本效益。每个给定 RDS(on) 的开关性能和 Qrr 和 Eon 和 Eoff 损耗均得到了改善。此外，Eoss 和 Coss 的减少也降低了总损耗。这些器件可以用标准的 0 V 至 12 V 或 15 V 栅极驱动电压安全地驱动。真正的 5 V 阈值电压可保持良好的阈值噪声容限，并且与前几代产品一样，这些 SiC FET 可以在所有典型的 Si IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET 驱动电压下工作。它们还包括一个内置的 ESD 栅极保护夹。所有器件均获 AEC-Q101 。