STGWT60H65DFB ST意法IGBT晶体管

STGWT60H65DFB  TO-3P ST意法IGBT晶体管60A 650V韩国产地

沟道栅场截止IGBT，HB系列 标记丝印GWT60H65DFB
  650 V，60 A 高速

STGWT60H65DFB特征
zui大结温：TJ = 175 °C
高速开关系列
zui小化尾电流
极低的饱和电压：VCE(sat) = 1.6 V
（典型值）@IC = 60 A
严格的参数分布
安全并联
低热阻
极快软恢复反并联二极管
无铅封装

STGWT60H65DFB应用
光伏逆变器
高频转换器

STGWT60H65DFB描述
该器件是使用 IGBT 开发的先进的专有沟槽栅极和场停止
结构体。 该设备是新“HB”的一部分IGBT 系列，代表zui佳传导和开关之间的折衷
损失以zui大限度地提高任何效率频率转换器。 此外，一个略正 VCE(sat) 温度系数和非常
严格的参数分布导致更安全并行操作。

内部示意图

封装图

STGWT60H65DFB尺寸图

 Absolute maximum ratings

符号  参数值  单位
VCES 集电极-发射极电压 (VGE = 0) 650 V
IC 连续集电极电流在 TC = 25 °C 80 A（1）
IC TC = 100 °C 时的连续集电极电流 60 A
ICP(2) 脉冲集电极电流 240 A
VGE 栅极-发射极电压 ±20 V
中频 TC = 25 °C 时的连续正向电流 80(1) A
IF TC = 100 °C 时的连续正向电流 60 A
IFP(2) 脉冲正向电流 240 A
PTOT 总耗散在 TC = 25 °C 375 W
TSTG 储存温度范围 - 55 至 150 °C
TJ 工作结温 - 55 至 175 °C

1. 电流水平受焊线限制。
2. 脉冲宽度受zui大结温限制。

热数据
符号参数值单位
RthJC 热阻结壳 IGBT 0.4 °C/W
RthJC 热阻结壳二极管 1.14 °C/W
RthJA 热阻结-环境 50 °C/W

属性 数值
zui大连续集电极电流 80 A
zui大集电极-发射极电压 650 V
zui大栅极发射极电压 ±20V
zui大功率耗散 375 W
封装类型 TO-3P
安装类型 通孔
通道类型 N沟道
引脚数目 3
晶体管配置 单
尺寸 15.8 x 5 x 20.1mm
zui低工作温度 -55 °C
zui高工作温度 +175 °C