LTL-4221N F3红色灯珠 3mm插件LED

LTL-4221N尺寸图

LTL-4221N参数
Absolute  Maximum  Ratings  at  TA=25°C
Parameter    Maximum Rating        Unit
功耗 100 mW
峰值正向电流（1/10 占空比，0.1ms 脉冲宽度） 90 mA
直流正向电流 30 mA
从 50°C 开始线性降额 0.4 mA/°C
反向电压 5 V
工作温度范围 -55°C 至 +100°C
存储温度范围 -55°C 至 +100°C
引线焊接温度 [距离主体 1.6mm(.063")] 260°C 5 秒

TA=25°C 时的电气/光学特性
参数符号    Min.  类型typ   Max.  单元  测试条件
发光强度 IV      2.5   8.7  -  mcd        IF = 10mA
视角  2θ 1/2  -   60  - °
峰值发射波长 λP 635 nm 测量 
主波长 λd     615   625   632   nm
谱线半宽 Δλ    40 nm   
正向电压 VF  -  2.0 2.6 V     IF = 20mA
反向电流 IR 100 μA VR = 5V
电容 C      20 pF    VF = 0 , f = 1MHz


LTL-4221N 驱动方式图
LED 是电流驱动的设备。 为了确保应用中并联的多个 LED 的亮度均匀性，
建议在驱动电路中加入一个限流电阻，与每个 LED 串联，如下图 A 所示。

(A) 推荐电路 (B) 由于这些 LED 的 I-V 特性不同，每个 LED 的亮度可能会有所不同


ESD (Electrostatic Discharge) 静电或电涌会损坏 LED。
防止 ESD 损坏的建议： 处理这些 LED 时使用导电腕带或防静电手套 。

所有设备、设备和机械必须正确接地 „
工作台、存储架等应正确接地 „
使用离子风机 中和可能在 LED 塑料透镜表面积聚的静电荷，
因为在储存和搬运过程中 LED 之间的摩擦会导致 ESD 损坏的 LED 会表现出异常特性，
例如高反向漏电流、低正向电压或“无光” up”在低电流。
要验证 ESD 损坏，请在低电流下检查可疑 LED 的“点亮”和 Vf。
InGaN 产品的“好”LED 的 Vf 应 >2.0V@0.1mA，AlInGaP 产品的 Vf 应 >1.4V@0.1mA。