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作为半导体行业的创新者,普冉联合国内晶圆厂,整合先进的设计和工艺优势,致力于研发28nm~55nm低功耗、高可靠性的NOR型串行Flash存储器产品,可应用于传统的消费类和工业市场以及新兴的应用市场。普冉的NOR型串行Flash存储器产品,具有极具竞争力的裸芯片尺寸和高性能优势,为MCP 和MCU 方案商提供了一个很好的选择。
P25C256F-TSH-MKR
P25C256F-TSH-MKT
P25C256F-UNH-MIR
P25C512X-D8H-MIR
P25CM02F-CSH-MIR
P25CM02F-SSH-MIR
P25CM02F-SSH-MIT
P24C16C-FNH-NAR
P24C64C-FNH-MAR
PY32F003F16U6TR
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PY32F030K18T6
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P25C256F-TSH-MKT
FLASH/普冉
TSSOP
23
60000
SGM811-JXN5/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM2541YG/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM803-LXN3/TR IC SGMICRO/圣邦微
P25RT11L-UXH-IR FLASH/普冉 存储器芯片
SGM2209-5.0XTDI6G/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM8278-2XMS8G/TR IC SGMICRO/圣邦微
P25Q32SL-SSH-IR FLASH/普冉 存储器芯片
SGM8534XS14/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM828B-2.3XC4G/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM3110-4.5YN6/TR IC SGMICRO/圣邦微