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作为半导体行业的创新者,普冉联合国内晶圆厂,整合先进的设计和工艺优势,致力于研发28nm~55nm低功耗、高可靠性的NOR型串行Flash存储器产品,可应用于传统的消费类和工业市场以及新兴的应用市场。普冉的NOR型串行Flash存储器产品,具有极具竞争力的裸芯片尺寸和高性能优势,为MCP 和MCU 方案商提供了一个很好的选择。
P24CM01-SSH-MIT
P24CM01B-SSH-MIR
P24CM01B-SSH-MIT
P24CM01B-TSH-MIR
P24CM01B-TSH-MIT
P24CM01B-TSH-NKT
P24CM02F-SSH-MIR
P24CM02F-SSH-MIT
P24CM02F-CSH-MIR
P25C64F-SSH-MIR
P25C64F-SSH-MIT
P25C64F-TSH-MIR
P25C64F-TSH-MIT
P25C64F-UNH-MIR
P25C128F-SSH-MIR
P25C128F-SSH-MIT
P25C128F-TSH-MIR
P25C128F-TSH-MIT
P25C128F-UNH-MIR
P25C128F-UNH-MKR
P25C256F-SSH-MIR
P25C256F-SSH-MIT
P24CM01B-TSH-MIT
FLASH/普冉
TSSOP8
23
60000
SGM37603YG/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM6032-3.3YTDI6G/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM8252AXS8G/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM808B-5.5XN5G/TR IC SGMICRO/圣邦微
P25Q32LE-SSH-IR FLASH/普冉 存储器芯片
SGM820B-2.7XTDB8G/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM2225-5.0XS8G/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM808B-5.5XK3G/TR IC SGMICRO/圣邦微
P25Q16L-SSH-IT FLASH/普冉 存储器芯片
SGM808B-3.0XN5G/TR IC SGMICRO/圣邦微