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作为半导体行业的创新者,普冉联合国内晶圆厂,整合先进的设计和工艺优势,致力于研发28nm~55nm低功耗、高可靠性的NOR型串行Flash存储器产品,可应用于传统的消费类和工业市场以及新兴的应用市场。普冉的NOR型串行Flash存储器产品,具有极具竞争力的裸芯片尺寸和高性能优势,为MCP 和MCU 方案商提供了一个很好的选择。
P24C256B-C6H-MIR
P24C256C-D4H-MIR
P24C256F-SSH-MIR
P24C256F-SSH-MIT
P24C256F-TSH-MIR
P24C256F-TSH-MIT
P24C256F-UNH-MIR
P24C256F-D4H-MIR
P24C512-SSH-MIR
P24C512-SSH-MIT
P24C512B-SSH-MIR
P24C512B-SSH-MIT
P24C512B-TSH-MIR
P24C512B-TSH-MIT
P24C512B-TSH-MKR
P24C512B-TSH-MKT
P24C512B-UNH-MIR
0P24C512B-D8H-MIR
P24C512F-D8H-MIR
P24C512B-SSH-NKR
P24C512B-SSH-NKT
P24CM01-SSH-MIR
P24C256F-SSH-MIR
FLASH/普冉
SOP8
23
60000
P25D22L-UXH-IR IC FLASH/普冉
SGM3804-2YG/TR IC SGMICRO/圣邦微
P25Q128H-SUH-IR FLASH/普冉 存储器芯片
SGM321YC5/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM2051-1.05XG IC SGMICRO/圣邦微
SGM8272YS8G/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM66099-ADJYTDI6G/TR IC SGMICRO/圣邦微
P25Q80L-UWH-IR FLASH/普冉 存储器芯片
SGM808B-4.8XC4G/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM808B-3.5XC4GTR IC SGMICRO/圣邦微