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作为半导体行业的创新者,普冉联合国内晶圆厂,整合先进的设计和工艺优势,致力于研发28nm~55nm低功耗、高可靠性的NOR型串行Flash存储器产品,可应用于传统的消费类和工业市场以及新兴的应用市场。普冉的NOR型串行Flash存储器产品,具有极具竞争力的裸芯片尺寸和高性能优势,为MCP 和MCU 方案商提供了一个很好的选择。
P24C128D-MSH-MIT
P24C128D-UNH-MIR
P24C128E-C4H-MIR
P24C128E-D4H-MIR
P24C128EA2-D4H-MIR
P24S128E-D4H-MIR
P24C128F-SSH-MIR
P24C128F-SSH-MIT
P24C128F-TSH-MIR
P24C128F-TSH-MIT
P24C128G-D4H-MIR
P24C128F-D4H-MIR
P24C256-SSH-MIR
P24C256-SSH-MIT
P24C256B-SSH-MIR
P24C256B-SSH-MIT
P24C256B-TSH-MIR
P24C256B-TSH-MIT
P24C256B-MSH-MIR
P24C256B-MSH-MIT
P24C256B-DNH-MIR
P24C128D-UNH-MIR
FLASH/普冉
DFN8
23
70000
SGM4812YMS10/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM2205-5.0XS8G/TR IC SGMICRO/圣邦微
P25Q16L-SSH-IT-N FLASH/普冉 存储器芯片
SGM42513B-1.75XTN6G/TR IC 圣邦微
P25Q16L-SSH-IR-N FLASH/普冉 存储器芯片
P25Q64L-QVH-IR FLASH/普冉 存储器芯片
SGM828B-2.6XC4G/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM3005CXMS10G/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM8276-2XS8G/TR IC SGMICRO/圣邦微
P25T22L-SVH-IR IC FLASH/普冉