图文详情
产品属性
相关推荐
作为半导体行业的创新者,普冉联合国内晶圆厂,整合先进的设计和工艺优势,致力于研发28nm~55nm低功耗、高可靠性的NOR型串行Flash存储器产品,可应用于传统的消费类和工业市场以及新兴的应用市场。普冉的NOR型串行Flash存储器产品,具有极具竞争力的裸芯片尺寸和高性能优势,为MCP 和MCU 方案商提供了一个很好的选择。
P24C64Q-A4H-MIR
P24S64E-C4H-MIR
P24C128D-SSH-MIR
P24C128D-SSH-MIT
P24C128D-TSH-MIR
P24C128D-TSH-MIT
P24C128D-MSH-MIT
P24C128D-UNH-MIR
P24C128E-C4H-MIR
P24C128E-D4H-MIR
P24C128EA2-D4H-MIR
P24C64C-TSH-MIR
P24C64C-TSH-MIT
P24C64C-TSH-NKR
P24C64C-TSH-NKT
P24C64G-TSH-MIR
P24C64G-TSH-MIT
P24C64C-DPH-MIT
P24C64C-UNH-MIR
P24C64E-C4H-MIR
P24C64F-A4H-MIR
P24C64F-C4H-MIR
P24C64G-C4H-MIR
P24C64C-TSH-MIR
FLASH/普冉
TSSOP8
23
60000
PY32F403RDT6 PUYA普冉 存储器芯片
SGM41100A-420M09YUDT6G/TR IC 圣邦微
SGM3750YTN6G/TR IC SGMICRO/圣邦微
P25D09H-SSH-UT FLASH/普冉 存储器芯片
SGM2059-1.8XN5G/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM827B-4.4XN5G/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM8295-4XS14G/TR IC SGMICRO/圣邦微
P25Q40U-TSH-IR FLASH/普冉 存储器芯片
SGM41100A-455O09YUDT6G/TR IC 圣邦微
SGM808B-5.0XN5G/TR IC SGMICRO/圣邦微