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作为半导体行业的创新者,普冉联合国内晶圆厂,整合先进的设计和工艺优势,致力于研发28nm~55nm低功耗、高可靠性的NOR型串行Flash存储器产品,可应用于传统的消费类和工业市场以及新兴的应用市场。普冉的NOR型串行Flash存储器产品,具有极具竞争力的裸芯片尺寸和高性能优势,为MCP 和MCU 方案商提供了一个很好的选择。
P25D09H-SSH-IT
P25Q11H-SSH-IR
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P25Q11H-TSH-IR
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P25Q11H-SVH-IR
P25Q11H-UXH-IR
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P25RT11L-UXH-IR
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RZ25D22L-UXH-IR
P25T22H-SSH-IR
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P25T22L-UWH-IR
P25T22L-SVH-IR
RZ25D22L-UXH-IR
FLASH/普冉
USON2*30.55high
23
50000
SGM2038-1.1XUDY4G/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM8210-4XS14G/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM41100A-425M09YUDT6G/TR IC 圣邦微
SGM8051XN5/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM2045-3.30XG/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM3157YC6/TR IC SGMICRO/圣邦微
SGM8055XMS/TR IC SGMICRO/圣邦微
P25Q16H-SUH-IR FLASH/普冉 存储器芯片
P24C04C-TSH-MIT FLASH/普冉 存储器芯片
P24C64F-A4H-MIR FLASH/普冉 存储器芯片