图文详情
产品属性
相关推荐
肖特基二极管和快恢复二极管的区别是什么
肖特基二极管使用肖特基来阻挡金属或半导体接触上的反向电压,允许电流沿一个方向传导。 与传统二极管不同,肖特基结的结构不同于PN结。 快速恢复二极管顾名思义,是一种能快速恢复反向时间的半导体二极管,本文从结构、性能特点等方面介绍肖特基二极管与快速恢复二极管的区别。
ST330C04
ST330C08
ST330C12
ST330C14
ST330C16
ST333C04
肖特基二极管
肖特基二极管
它是一个具有肖特基特性的“金属有机半导体结”的二极管。其正向发展起始阶段电压水平较低。其金属层除钨材料外,还可以通过采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体复合材料研究采用硅或砷化镓。这种影响器件是由多数载流子导电的,所以,其反向市场饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应作用甚微,所以其不同频率响仅为RC 时间都是常数限制,因而,它是一种高频和快速控制开关的理想实现器件。其工作出现频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管技术可以直接用来设计制作中国太阳能作为电池或发光二极管。
结构原理
综上所述,肖特基整流器的结构原理与PN整流器的结构原理有很大的不同,PN整流器通常称为结整流器,金属半整流器称为肖特基整流器,近年来也开发出了采用硅平面工艺的铝硅肖特基二极管,不仅节省了贵金属,显著降低了成本,而且提高了参数的一致性。
肖特基整流器只使用一种载流子(电子)来传输电荷,并且在势垒外没有多余的少量载流子的积累,因此不存在电荷存储问题(qrr →0)。它的反向恢复时间已经减少到小于10毫微秒。但其反向耐压值较低,过去一般不超过100V。因此,本实用新型适合在低电压、大电流条件下工作。利用低压降特性可以提高低压大电流整流(或连续)电路的效率。
快速恢复二极管
快速恢复二极管
快速恢复二极管是指反向恢复时间短(小于5us)的二极管。工艺上采用了金掺杂措施,有的采用PN结结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压大多在1200V以下。性能分为两个级别:快速恢复和超快速恢复。前者的反向恢复时间为数百纳秒或更长,而后者小于100纳秒。
肖特基二极管主要是以中国金属和半导体材料接触社会形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管,具有显著正向压降低(0.4—1.0V)、反向进行恢复工作时间虽然很短(0-10纳秒),而且可以反向漏电流产生较大,耐压低,一般水平低于150V,多用于低电压场合。
肖特基二极管和快速恢复二极管通常用于开关电源。 不同之处在于前者的恢复时间比后者的恢复时间小约100倍,而前者的反向恢复时间约为几纳秒。 前者具有低功耗、大电流、超高速等优点。
在快恢复二极管的制造中,采用金掺杂和简单扩散技术可以获得高开关速度和高电压电阻。目前,快恢复二极管主要用作逆变电源的整流器。
反向恢复时间
什么是反向恢复时间?当外部二极管的电压从正向转换到反向时,流经器件的电流不能从正向转换到反向。此时,在正向注入的少数载流子(空穴)被空间电荷区中的强电场提取。因为这些空穴的密度高于基区中的平衡空穴密度,所以在反向偏置的时刻将产生反向电流,即反向恢复电流IRM。同时,符合过程的加强也加速了这些额外载流子密度的降低。直到累积在基极区中的额外载流子完全消失,反向电流减小并稳定到反向漏电流。整个过程的时间就是反向恢复时间。
反向恢复工作时间trr的定义是:电流可以通过一个零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是一种衡量高频续流及整流器件性能的重要信息技术发展指标。
快恢复和超快恢复二极管的结构特性
快恢复二极管的内部结构不同于普通二极管。它在 p 型和 n 型硅材料之间加入基 i,形成 p-i-n 硅晶片。由于基极很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大降低了 trr 值,而且降低了瞬态正向电压降。快恢复二极管反向恢复时间一般为数百纳秒,正向电压降约为0.6伏,正向电流为几安培至几安培,反向峰值电压可达数百伏至几安培。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步降低,使其 trr 低至几十纳秒。
以下20A快速恢复和超快速恢复二极管大多采用TO-220封装。从内部结构来说,可分为单管和双管(也叫双管)。电子管中有两个快速恢复二极管。根据两种二极管连接方式的不同,有两种类型的二极管:共阴极对管和共阳极对管。十安培的快速恢复二极管通常封装在TO-3P金属外壳中。容量较大(几百~几千A)的管道采用螺栓式或扁平式包装。
检测方法
常规检测方法
在业余生活条件下,利用数字万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性,以及企业内部环境有无开路、短路发生故障,并能通过测出正向导通压降。若配以兆欧表,还能提高测量可以反向击穿电压。
例:测量一个超快恢复二极管,其主要参数为:TRR=35ns、IF=5A、IFSM=50A、VRM=700V。 将万用表转到R ° 1,并读取正向电阻为6.4L,n=19.5L网格。 反向阻力是无限的。 VF=0.03V//19.5=0.585V。 证明管道是好的
注意事项:
有的单管,一共三针,中间空脚,通常在工厂切断,也不切断;
如果其中一个管道损坏,可以作为单管使用;
测正向导通压降时,必须通过使用R×1档。若用R×1k档,因测试系统电流不能太小,远低于一个管子的正常进行工作产生电流,故测出的VF 值将明显程度偏低。在上面这个例子中,如果我们选择R×1k档测量,正向影响电阻就等于2.2k,此时n=9格。由此可以计算出的VF值仅0.27V,远低于高于正常值(0.6V);
快速恢复二极管的恢复时间为200~500ns。
超快二极管的恢复时间为30-100ns;
肖特基二极管的恢复时间约为10ns
而且对于他们的正向导通电压也有所了解不同,
ST330C12
IR
21+
Tube
原盒包装
德国
供应三社可控硅模块DD200HB160 DD250HB120 DD250HB160 DD30GB40
供应IR可控硅模块15CTQ035STRR 15CTQ035STRRPBF 15CTQ040 15CTQ040-1PBF
供应IR可控硅模块SD400C12C SD400C16C SD400C20C SD400C24C SD403C04S10C
供应IR可控硅模块20CTQ045-1PBF 20CTQ045PBF 20CTQ045S 20CTQ045SPBF
供应IGBT模块FF300R12KE4_E FF300R12KE3_E
供应IR可控硅模块81RIA120 81RIA120PBF 81RIA40 81RIA40PBF 81RIA80 81RIA80PBF
供应三社IGBT模块PD55F120 PD55F160 PD70F120 PD70F160
供应IR晶闸管SD453R16S20PC SD453R16S30PC
供应IR可控硅模块ST183S08PFL0P ST183S08PFL1 ST183S08PFL1P ST183S08PFN1
供应IR可控硅模块IRKD56/08 IRKD56/12 IRKD56/14 IRKD56/16 IRKD71/04