供应富士IGBT模块1MBI2400VC-170E 1MBI2400VD-170E 1MBI3600VD-170E 1MBI1200VR-170E

 N 通道和 P 沟道功率 MOSFET 凭借其独特设计实现更高效率、功率密度和成本效益。

功率mosfet-(infineon)

1MBI2400VC-170E

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1MBI3600VD-170E

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Automotive MOSFET

N-通道功率MOSFET

P-通道功率MOSFET

Small Signal/Small Power MOSFET

N-Channel Depletion Mode

Dual MOSFET

碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs

功率 MOSFET 是一种金属氧化物-硅场效应晶体管，旨在用于低压应用，兼顾高开关速度和卓越效率。这项创新技术是诸多应用的组成部分，包括消费电子产品、电源、DC-DC 转换器、电机控制器、射频 (RF) 应用、交通技术和汽车电子产品。

关于功率 MOSFET

功率 MOSFET 产品组合

是世界上首屈一指的功率半导体元件制造商，可提供品类齐全的金属氧化物-硅晶体管产品组合。在于 2015 年收购美国国际整流器公司 (IRF) 后，将所有 IRF MOSFET 产品及功率 MOSFET 纳入其产品体系，进一步加强和扩展了该产品组合，从而得以立足于行业前沿。

功率 MOSFET 产品组合为一系列应用提供高效的发电、电源和功耗解决方案，如太阳能微型逆变器、服务器、电信和电动车。

OptiMOS™、StrongIRFET™、CoolMOS™ 与 CoolSiC™

功率 MOSFET 应用

无论何种应用，其所采用的功率 MOSFET 类型都将直接影响整体性能，因此选用合适技术至关重要。凭借其高质量设计和稳健性，的颠覆性技术可显著改善外形尺寸，同时还有助于降低整体系统成本，打造理想解决方案。

 MOSFET 晶体管另一重要优势在于可大幅降低整体能耗。这将显著减少二氧化碳排放，因此在削减成本的同时，还能打造更为环保的系统和产品。 CoolMOS™ 超结 MOSFET 型号齐全，适用于消费品、工业和汽车应用，如照明、电视、音频、服务器/电信、太阳能、电动车充电、DC-DC 转换器、车载充电器等。您可在下文更深入地了解功率 MOSFET 应用。

功率 MOSFET 对各类工业应用而言必不可少，为此提供先进解决方案以满足诸多需求。的创新型 OptiMOS™、CoolMOS™ 和 StrongIRFET™ 中低压功率 MOSFET 始终满足电力系统设计关键规范中的严苛质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 OptiMOS™ 功率 MOSFET 产品组合辅以 StrongIRFET™ 成就强强组合。 StrongIRFET™ MOSFET的稳健性和出色性价比结合OptiMOS™ MOSFET的卓越技术，优势众多。两款产品系列均具备显著优势，具体如下：

通过减少多相转换中的相数来降低整体系统成本

在各类负载条件下均可降低功耗，提高效率

依托超小型封装或系统级封装解决方案节省空间

减少系统 EMI，无需使用外部缓冲器网络，产品更容易设计导入

产品组合涵盖多种工业用功率 MOSFET，包括 P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET，电压等级有 12 V-40 V、45 V-80 V 和 85 V-300 V。我们的产品组合还包括 500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道 功率 MOSFET、-250 V-600 V 小信号/小功率 MOSFET、60 V-600 V N 沟道耗尽型 MOSFET、20 V-60 V 互补式 MOSFET 以及650 V-1700 V 碳化硅 MOSFET。

搭配先进的 OptiMOS™ 技术与稳固封装，汽车级功率 MOSFET 产品组合可提供卓越性能与出色电流能力。 汽车级 MOSFET 封装系列型号众多，不仅具备大电流特性，还可在 20 V-800 V 电压范围内实现标杆质量。与此同时，其出色的 RDS(on) 性能亦可显著提高系统效率。选用汽车用功率 MOFSET 产品组合，将具备以下优势：

TOLL (10x12 mm) 和 sTOLL (7x8 mm) 封装的大电流特性

适用于 5x6 mm 半桥结构的超小尺寸架构

顶部冷却型 10x15 mm TOLT 封装

极低的开关和传导功率损耗，可提高各类封装的热系统可靠性

稳固的环保封装，便于加工处理

依托的卓越汽车级 CoolMOS™ 超结技术，600 V-800 V 功率 MOSFET 实现优异性能。的超结 MOSFET 凭借满足当下和未来趋势需求，为设计人员提供更低温度，更佳的外形尺寸和更高效率。