BSC067N06LS3 GMOSFET N-Ch

BSC067N06LS3 G

BSC067N06LS3 G

BSC067N06LS3 G

BSC067N06LS3 G

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 67 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 7 ns
正向跨导 - zui小值: 38 S
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 26 ns
系列: OptiMOS 3
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 37 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: BSC67N6LS3GXT SP000451084 BSC067N06LS3GATMA1
单位重量: 100 mg
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 67 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 7 ns
正向跨导 - zui小值: 38 S
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 26 ns
系列: OptiMOS 3
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 37 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: BSC67N6LS3GXT SP000451084 BSC067N06LS3GATMA1
单位重量: 100 mg